近年來，我(wǒ)國航天事業蓬勃發展，特别是深空探測的興起，對抗輻照芯片提出了更高的要求。但傳統矽基半導體技術已達極限，未來發展面臨巨大(dà)挑戰。目前，全球科研人員普遍認可碳基半導體技術有望替代矽基半導體技術，成爲未來的主流技術。

離子膠碳納米管抗輻照晶體管

碳納米管（CNT）具有優異的電學性能、準一(yī)維晶格結構、化學穩定性好、機械強度高等特點，是構建新型CMOS晶體管和集成電路的理想半導體溝道材料，有望推動未來電子學的發展。并且，由于碳納米管具有強碳-碳共價鍵、納米尺度橫截面積、低原子數等特點，可以用來發展新一(yī)代超強抗輻照集成電路技術。但如何将碳納米管的超強抗輻照潛力真正發揮出來，卻是全世界科學家面臨的幾大(dà)難題之一(yī)。

近日，首發展投資企業——北(běi)京朗潤華碳科技有限責任公司的彭練矛、張志(zhì)勇團隊與中(zhōng)科院蘇州納米所趙建文團隊聯合研究制備出了一(yī)種具有超強抗輻照能力的碳納米管場效應晶體管和集成電路，未來可滿足航天航空、核工(gōng)業等特殊應用場景。8月24日，相關成果“輻照加強碳納米管集成電路研究”發表在全球頂級學術期刊《自然·電子學》上。此項研究成果意味着我(wǒ)國碳基半導體研究成功突破抗輻照這一(yī)世界性難題，爲研制抗輻照的碳基芯片打下(xià)了堅實基礎。

聯合課題組在研究過程中(zhōng)，針對場效應晶體管的所有易受輻照損傷的部位有針對性地采用輻照加強設計，系統設計晶體管的結構和材料，制備出了一(yī)種新型的、具有超強抗輻照能力的碳納米管場效應晶體管，抗總劑量輻照可達15Mrad(Si)，并發展了可修複的碳納米管集成電路，爲未來的“碳基中(zhōng)國芯”穿上抗輻射防護衣。特殊的設計使得碳基電路像電影《終結者》中(zhōng)的T1000液态機器人，能夠完全恢複輻照造成的損傷。

輻照加強碳納米管集成電路研究”成果論文

北(běi)京朗潤華碳科技有限責任公司由首發展與北(běi)京大(dà)學彭練矛教授團隊于2015年9月創立，緻力于開展碳基集成電路的産業化工(gōng)作。公司創始團隊創造性地提出并實現了碳納米管“無摻雜CMOS技術”，解決了碳基集成電路的一(yī)系列基礎問題，發展了高性能碳管CMOS晶體管和光電器件的批量制備技術，并率先實現了中(zhōng)等規模的碳基集成電路制備。後續公司有望将集成電路技術推進到3納米節點以下(xià)，實現速度更快、功耗更低、集成度更高的新型碳基集成電路芯片，推動未來信息技術的發展,爲後摩爾時代的電子學帶來新一(yī)輪的繁榮。

首發展自投資朗潤華碳以來，積極提供後續增值服務，加速公司培育、孵化和成長。一(yī)是協助對接産業鏈上下(xià)遊資源，并支撐創新鏈整合，加速轉化進程。二是将其納入集團運營孵化載體——中(zhōng)關村(cūn)前孵化創新中(zhōng)心，幫助團隊建成首條4英寸3微米碳基集成電路實驗線，并爲其争取租金補貼和人才引進等政策支持。三是共同組建北(běi)京元芯碳基集成電路研究院，用更高層面的平台和更爲開放(fàng)的機制，實現與國家資源的無縫對接。