項目名稱：
第三代半導體材料及應用聯合創新基地
産業化公司名稱：
北(běi)京國聯萬衆半導體科技有限公司

出資主體：

北京美车科技发展有限公司有限公司

項目簡介

公司定位爲第三代半導體材料及應用聯合創新基地的建設及運營主體單位，基地将建成包括第三代半導體工(gōng)藝平台、封裝測試平台、檢測及可靠性平台、服務平台等四大(dà)基礎平台，成爲國内第一(yī)、國際一(yī)流的第三代半導體公共服務平台。平台将采取開放(fàng)聯合、共享合作的方式，爲第三代半導體材料及應用聯合創新基地提供研發支撐和條件保證；吸引國内外(wài)第三代半導體研發、設計、封裝、模塊、應用及金融、服務等企業入駐園區，形成産業創新體系和可持續發展的生(shēng)态環境，從戰略高度，全面、深入整合和利用國際資源；培育和打造第三代半導體龍頭企業，促進産學研用合作以及跨界應用的開放(fàng)協同創新，實現創新驅動發展，爲北(běi)京發展第三代半導體新興産業起到引領和帶動作用。
 

MOSFET器件

項目亮點

·2016年3月，獲得了中(zhōng)關村(cūn)科技園區管理委員會授予的“中(zhōng)關村(cūn)國家自主創新示範區特色産業孵化平台”稱号；

·2017年11月，獲得科技部授予的“國家級衆創空間稱号，

·2018年10月31日，獲得高新企業證書。