近日，世界學術界和企業界公認的集成電路設計領域最高級别會議，被認爲是集成電路設計領域的“世界奧林匹克大(dà)會”ISSCC（IEEE International Solid-State Circuits Conference）于美國舊金山舉行。

此次大(dà)會，優镓科技（北(běi)京）有限公司（以下(xià)簡稱優镓科技）首席科學家陳文華教授團隊的寬帶太赫茲倍頻芯片技術成功入圍。這也是該團隊繼去(qù)年在ISSCC 2022上發表寬帶太赫茲Doherty功放(fàng)芯片技術之後，在太赫茲芯片領域的又(yòu)一(yī)新突破。

太赫茲(THz)波是指頻率在0.1~10 THz(波長爲3000～30μm)範圍内的電磁波，在長波段與毫米波相重合，在短波段與紅外(wài)光相重合，是宏觀經典理論向微觀量子理論的過渡區，也是電子學向光子學的過渡區，稱爲電磁波譜的“太赫茲空隙(THz gap)”。THz技術可廣泛應用于雷達、遙感、國土安全與反恐、高保密的數據通訊與傳輸、大(dà)氣與環境監測、實時生(shēng)物(wù)信息提取以及醫學診斷等領域。

陳文華教授團隊針對傳統矽基太赫茲振蕩器和倍頻器所面臨的帶寬受限和輸出功率不足問題，提出了基于槽線的諧波調諧技術，通過槽線變壓器結構爲推-推式二倍頻器（push-push frequency doubler）在超寬帶範圍内實現了高平衡度的基波輸入和最佳二次諧波調諧，有效地提高了倍頻器的工(gōng)作帶寬、輸出功率和基波抑制水平。所提出的寬帶二倍頻器基于0.13μm SiGe BiCMOS工(gōng)藝成功流片，在200至350GHz頻帶内實現了最高4.7dBm的輸出功率和最大(dà)37dBc基波抑制水平，功率波動僅爲3.6dB，其各項性能指标在超寬帶範圍内達到甚至超過了相似頻段的窄帶太赫茲倍頻芯片。

北京美车科技发展有限公司旗下(xià)天樞基金參與了對優镓科技的股權投資，優镓科技科技市場發展潛力大(dà)，技術優勢明顯，能夠較好地實現射頻技術國産替代。天樞基金投後持續依托集團資源優勢，提供各項服務，包括不限于對接各類創新創業大(dà)賽信息、展覽信息和補助政策等。

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