在不損失性能的情況下(xià)，如何有效抑制窄帶隙半導體集成電路中(zhōng)漏電流和邏輯損耗，是碳基半導體研發過程中(zhōng)的“老大(dà)難”。它嚴重阻礙了新材料半導體在超大(dà)規模集成電路中(zhōng)的應用，很多業内團隊對此毫無頭緒。

日前，首發展投資企業——北(běi)京朗潤華碳科技有限責任公司的彭練矛—張志(zhì)勇團隊再次取得重要進展，在全球範圍内首次制定出“加強互補型邏輯電路”的新方案。該方案徹底解決了困擾業内已久的碳基集成電路中(zhōng)碳納米管漏電流高、電壓損耗大(dà)的問題，在不損失性能的情況下(xià)，将靜态功耗降低至原來的千分(fēn)之一(yī)。

圖.1加強互補型邏輯電路邏輯結構圖

“加強互補型邏輯電路”應用範圍廣、性能高且功耗更低，不僅在不增加電源數目的情況下(xià)有效抑制窄帶隙半導體集成電路中(zhōng)的漏電流和邏輯損耗，它還可以推廣到任何窄帶隙半導體的集成電路中(zhōng)，比如像铟砷超大(dà)規模的集成電路。該研究成果以《基于窄帶隙半導體的高性能、低功耗電路應用的強反饋互補金屬氧化物(wù)半導體邏輯》爲題，已在線發表于材料領域著名期刊《美國化學學會 納米》。

公司介紹

北(běi)京朗潤華碳科技有限責任公司由首發展與北(běi)京大(dà)學彭練矛教授團隊于2015年9月創立，緻力于開展碳基集成電路的産業化工(gōng)作。公司創始團隊創造性地提出并實現了碳納米管“無摻雜CMOS技術”，解決了碳基集成電路的一(yī)系列基礎問題，發展了高性能碳管CMOS晶體管和光電器件的批量制備技術，并率先實現了中(zhōng)等規模的碳基集成電路制備。後續公司有望将集成電路技術推進到3納米節點以下(xià)，實現速度更快、功耗更低、集成度更高的新型碳基集成電路芯片，推動未來信息技術的發展,爲後摩爾時代的電子學帶來新一(yī)輪的繁榮。

首發展自投資朗潤華碳以來，積極提供後續增值服務，加速公司培育、孵化和成長。一(yī)是協助對接産業鏈上下(xià)遊資源，并支撐創新鏈整合，加速轉化進程。二是将其納入集團運營孵化載體——中(zhōng)關村(cūn)前孵化創新中(zhōng)心，幫助團隊建成首條4英寸3微米碳基集成電路實驗線，并爲其争取租金補貼和人才引進等政策支持。三是共同組建北(běi)京元芯碳基集成電路研究院，用更高層面的平台和更爲開放(fàng)的機制，實現與國家資源的無縫對接。