11月23日，中(zhōng)關村(cūn)“火(huǒ)花”活動“半導體技術領域成果轉化專場路演”在中(zhōng)關村(cūn)前孵化創新中(zhōng)心舉辦，活動聚焦半導體新材料、新器件、新計算範式等領域。由北(běi)京科技成果轉化服務中(zhōng)心主辦，北京美车科技发展有限公司投資管理有限公司承辦，邀請來自清華大(dà)學集成電路學院、中(zhōng)國科學院半導體研究所、投資及金融機構20餘人參加。

在路演環節，中(zhōng)國科學院半導體研究所的張亦韻博士介紹了“新型氧化镓襯底”項目。項目技術源頭來自中(zhōng)國科學院半導體所張姚團隊，旨在通過利用新型氧化镓襯底制備技術，爲第四代半導體材料和器件技術發展奠定基礎。

中(zhōng)國科學院半導體研究所的肖晔博士介紹了“微波光子伊辛機”項目。該項目研發基于光電參量振蕩的微波光子伊辛機，颠覆傳統數字計算範式對組合優化問題的求解方法，由“深度學習”走向“強化學習”。通過采用新型微波與光波融合的計算路徑，将脈沖載頻搬運到微波頻段，颠覆現有伊辛機的脈沖加載方式，實現計算規模、運行穩定性和求解問題複雜度量級上的提升，爲大(dà)規模、多變量、多類型組合優化問題高效求解提供全新方案，引領伊辛機實用化發展。

清華大(dà)學集成電路學院姚鵬博士介紹了“功率器件（SiC MOSFET，Si IGBT）及模組産業化”項目。姚博士介紹到，随着我(wǒ)國新能源産業的迅猛發展，針對功率器件的需求快速上升，但供給主要依賴進口，大(dà)功率MOSFET、IGBT等領域的國産化率很低，當前時點是功率器件國産替代的重要窗口期。其項目拟通過自研SiC MOSFET，Si IGBT及其模組并産業化，實現在大(dà)功率MOSFET、IGBT領域的國産替代。

在點評環節，3位行業專家圍繞企業融資需求、空間載體需求、成果研發等内容給與點評。此次活動的成功開展爲供需雙方拓寬了對接渠道，爲科技成果賦予了更多應用場景，也爲成果轉化的促進落地增加了更大(dà)可能性。